日本將管控先進製程微影及沉積設備 不利中國先進製程布局

日本於2023年3月公告修訂「外匯及對外貿易法」後，5月23日公告23項半導體設備出口管制措施，並將在7月23日正式實施。DIGITIMES研究中心觀察，日本出口管制範圍雖包含黃光、蝕刻、薄膜、熱處理、清洗、檢測等半導體重點製程，但以微影設備或涉及先進製程相關的薄膜沉積設備較可能執行管制，將不利中國半導體先進製程布局。

由於中國自美、日、荷進口半導體設備金額佔比合計超過6成，因此，美國聯手日、荷將更有效牽制中國半導體產業發展。基此，美國與日本、荷蘭在2023年1月底達成半導體設備出口管制協議，並促使日本祭出半導體設備出口管制政策。

DIGITIMES研究中心分析師賴琇菱表示，日本出口管制近半與薄膜製程設備有關，然該類設備牽涉製程廣泛，因此，先進製程部分沉積設備、應用在40奈米以下製程的原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)設備、多重曝光(multi-patterning)所需的硬質光罩沉積設備等產品將優先進行出口管控。

賴琇菱提及在微影設備出口管制部分，浸潤式DUV微影設備出口恐受影響；而日本無EUV微影設備，因此，管制將鎖定EUV光罩沉積設備、EUV製程塗布及顯影相關設備，以及檢測EUV設備的空白光罩或可曝光光罩的檢測設備等。

賴琇菱指出日本這項措施不只在EUV的周邊配套設備上對中國產生箝制的力量，目前日本是中國半導體設備的最大進口來源，佔中國的半導體設備進口金額的3成比重，這項管制措施被視為日本明確表態與美國、荷蘭站在同一陣營的表現。