TrendForce:紫光DRAM廠預計2021年完工 宣示自主開發決心

TrendForce:紫光DRAM廠預計2021年完工 宣示自主開發決心。(資料照) TrendForce:紫光DRAM廠預計2021年完工 宣示自主開發決心。(資料照)

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定,並在重慶投資DRAM研發中心與工廠,廠房預定2019年年底動工,並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後,以及在中美貿易摩擦影響下,中國加速自主開發DRAM產品的進程。

紫光集團已於6月30日公告成立DRAM事業群,由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長,執行長則由高啟全擔任,代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化,也更加確立中國自主開發半導體的發展方向。

根據TrendForce推估,紫光DRAM事業群首先要面對的挑戰將是相關製程技術的開發。當時的福建晉華,姑且不論美國的禁售,先前在技術上已與聯電密切合作,讓製程與產品都按照原訂計畫進行;而合肥長鑫也與奇夢達有技術交互授權,有助產品開發。

紫光集團方面,旗下IC設計公司紫光國微具有DRAM相關產品的研發實力,但製程開發上至今仍未有合作對象,未來如果以自主開發的方向進行,至少需要3-5年的研發時間,代表就算2021年工廠完工甚至進入小批量投片,然達到一定的經濟規模仍需要更長的時間。

紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力,預計可望藉由其執行長高啟全的業界人脈進行補強,而高啟全在紫光的五年任期即將在明年屆滿,是否會對紫光的DRAM發展產生影響,也須持續關注。

TrendForce指出,紫光集團並非首次計畫進軍DRAM產業,早在2014年就曾表達出研發DRAM的決心,但當時為了平衡產業與地方發展,且紫光已經確定NAND發展路線,後續DRAM的開發計畫因而停擺。此次紫光集團回歸DRAM開發,主要是因為福建晉華在去年11月遭美國頒布禁售令後,量產與未來研發之路的不確定性因素仍高,加上合肥長鑫雖然預計今年年底導入量產,但整體放量最快也要到2020年年底。對於中國而言,僅有一家正在進行的DRAM廠是不足以實現自主開發的目標,尤其又面臨中美貿易摩擦的大環境因素,亦讓紫光集團重新出線進行DRAM的開發與生產。

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