5G世代正式來臨 英特磊全方位布局搶市

IET-KY（4971，以下簡稱英特磊）22日召開股東會，會中總經理高永中向投資人提到，公司今年在營運上將透過五大面向來提升營收與獲利。一、在新廠完成安裝6-8台MBE機台，包括超高均勻度 8x6in MBE機台；二、在新廠完成組裝氮化鎵(GaN)機台並於下半年投入GaN/SiC生產；三、擴大銻化鎵(GaSb)磊晶產能以配合商用與國防相關紅外磊晶片需求；四、與客戶共同研發超高頻磷化銦HBT（包括新MBE硬體構件整合）；五、開發組裝自製MBE機台以因應未來品質與產能需求。

高永中進一步表示，在順利完成以上五大面向的重點計畫後，英特磊在面射型雷射(VCSEL) 用於光通訊與3D感測、磷化銦(InP)HBT用於5G手機
PA、氮化鎵(GaN)用於功率IC(基地台)及消費性電子、銻化鎵(GaSb)用於國防工業等市場區塊的整體競爭力，將可提升到另一個境界，對於公司的營收獲利也將有顯著提升的作用。

英特磊去年營收7.12億元，較前年增加9.6%；整體產品比重中砷化鎵(GaAs)佔52%，磷化銦(InP) 佔36%，銻化鎵(GaSb)佔12%。去年該公司完成了25G高速面射型雷射及磷化銦HBT在新廠生產、開發供應商用1.5-2.5um磷化銦及銻化鎵長波長紅外雷射、與合作夥伴共同發展4-6in GaN/SiC及GaN/Si磊晶生長技術、與MBE供應商共同發展超高均勻度 8x6in MBE機台等四大關鍵布局。

今年公司的營運重點將在推動InP-HBT、GaN/SiC HEMT、25G APD and VCSEL、56G PIN等5G相關產品，並聚焦MBE有優勢之國防產品，例如：
GaSb type-II SLS IR detector及其他新創產品如 QCL、RTD、GaN/Si。

此外，強化MBE軟體硬體能力、8x6in MBE機台設計、即時監控系統、MBE長晶控制軟體、自製MBE零組件及整體機台；以及增強垂直整合能力，
例如：發展雷射(含VCSEL)及銻化鎵GaSb探測器元件製程、HBT磊晶後製程等也都是英特磊今年主要的工作計畫。