磷化銦等三大產品需求旺 英特磊前三季獲利年增近三倍

IET-KY （英特磊，4971）11日召開法說會，報告公司第三季營運表現。英特磊前三季合併總營收為新台幣5.28億元，較去年的4.86億元增加約8.56％，EPS 1.72元則較去年的0.45元大幅成長282.22%。而該公司Q3單季營收為新台幣1.86億元，相較去年成長6.77%，EPS 0.95元，YOY增幅55.74%。英特磊表示，第三季營收成長動能來自磷化銦（InP）的異質結雙極電晶體（HBT），晶片光接收器（PIN），和雪崩式光接收器（APD）。

英特磊董事長高永中表示，磷化銦（InP）應用包括：高頻光纖網路、高頻量測儀器元件、光通訊用光接收器於雲端計算、資料庫、資料傳遞應用，5G基礎建設…等。目前PIN磊晶片，高速量測HBT量產訂單已覆蓋到明年第一季，隨著市場需求增大，公司亦將提高產能利用率準時交貨，同時積極與 APD多家磊晶片客戶進行產品認證。在研發方面，重點為研發長波長雷射應用磊晶片，明年中投入中型機台，擴大磷化銦磊晶片產能。

在砷化鎵（GaAs）部分，高速VCSEL主要客戶量產訂單已到位，第四季營運重點對VCSEL與高端pHEMT磊晶片主要客戶量產出貨，爭取第四季銷售業績，同時與各客戶開發其他VCSEL產品，包含InP-based VCSEL及 dilute nitride 13xx nm 磊晶產品。

至於氮化鎵（GaN），氮化鎵的生長優化進行順利，高性能GaN HEMT上的N+GaN二次生長需求超出預期，已經開始接訂單。重點專注於利用MBE氮化物磊晶開發的獨特生長能力，預期會有較快的成長。初步不會有太大的營收貢獻，主要的營運動能則可望從明年開始。

法人表示，在歷經產品轉換以及疫情影響導致英特磊在營運上沉潛一段時間後，但隨著市場需求急速拉升，英特磊未來業績表現可望漸入佳境，穩定成長。