TrendForce:烏俄衝突影響半導體氣體供應 晶片生產成本恐上漲

TrendForce:烏俄衝突影響半導體氣體供應 晶片生產成本恐上漲 。(資料照) TrendForce:烏俄衝突影響半導體氣體供應 晶片生產成本恐上漲 。(資料照)

烏克蘭為半導體原料氣體供應大國,包含氖、氬、氪、氙等,其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產量,儘管氖氣在半導體製程當中使用比重並不如其他產業,但其仍為必要原物料,若供應受阻仍將對產業造成影響。TrendForce認為,烏俄衝突雖可能衝擊該地區惰性氣體供應,但在半導體廠、氣體供應廠皆備有庫存,且仍有其它地區供應的情況下,短期內不至於造成產線中斷影響產出,不過氣體供應量減少仍將可能造成價格上漲,晶片生產成本可能因此上漲。

惰性氣體主要應用於半導體微影製程,該製程線寬需進一步微縮至220nm以下時,即開始進入DUV(深紫外光)光源準分子雷射世代,以惰性混合氣體與鹵素分子混合,藉由電子束能量激發產生深紫外光的波長,將製程推進180nm以下線寬。DUV準分子雷射當中所需要的惰性混合氣體就包含氖氣,且氖氣為混合氣體當中的必要氣體,難以取代。而半導體微影製程當中需要氖氣的製程主要為DUV曝光,製程節點涵蓋自8吋晶圓180nm至12吋晶圓1Xnm。

TrendForce研究顯示,晶圓代工方面,全球180~1Xnm產能占整體約75%,除有提供EUV先進製程的台積電(TSMC)及三星(Samsung)外,多數晶圓廠180~1Xnm營收占比超過九成,且自2020年起供貨極為緊張的零組件包含PMIC、Wi-Fi、RFIC、MCU等製造製程皆落在此區間。DRAM方面,除了美光(Micron)外,韓廠正逐步加大1alpha nm(使用EUV製程)占比,但目前仍有超過九成的產能採用DUV製程;而NAND Flash則全數採用DUV微影技術。

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