工研院攜手UCLA簽署VC-MRAM合作開發計畫 共同開發下一代磁性記憶體

5G、AI人工智慧已是驅動半導體產業成長趨勢，隨著晶片體積愈來愈小，擁有高速度、高效能的磁性記憶體（Magnetic Random Access Memory；MRAM）技術已成為主流。工研院與美國加州大學洛杉磯分校（University of California, Los Angeles；UCLA）宣布簽署VC-MRAM合作開發計畫，未來將共同開發下一代的磁性記憶體，期許以工研院媲美國際的技術基礎、結合UCLA創新概念，將材料元件應用在記憶體晶片內進行運算儲存，未來可望減少近百倍能耗，提升逾十倍速度，樹立創新記憶體新里程碑。

經濟部技術處表示，經濟部長期投入資源協助國內半導體產業技術研發，同時也力促工研院投入下世代自旋霍爾式磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）技術，研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體技術，並於2019年在全球指標性IEEE國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting MRAM Poster Session;IEDM Poster）中發表，其技術成果已逐步產業落地，為臺廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。

如今，深厚的研發基礎吸引具有前瞻研發技術研發能量的頂尖學術機構UCLA與工研院合作開發電壓控制式磁性記憶體（Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM）。其與SOT MRAM相比，VC-MRAM具有更快寫入速度（縮短50%）、讀寫能耗更低（減少75%）的特性，非常適合AIoT及汽車晶片的應用需求。

此次合作，雙方強強聯手，進一步投入創新記憶體科技開發與產業化進程，並強化美國重要合作夥伴的關係，成功協助國內外廠商提升國際競爭力，於下世代先進製程上搶占先機。

工研院電光系統所所長吳志毅指出，AI人工智慧、5G 時代來臨，快速處理大量資料的需求暴增，隨著摩爾定律持續向下微縮，半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。由於MRAM擁有與靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，還兼具節能可靠的特色，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。

工研院多年前就深耕MRAM技術，從元件創新、材料突破、電路優化等方式展開研究，成功開發出國際領先的磁性記憶體技術。今年在DARPA與經濟部技術處支持下，與UCLA簽訂合作開發計畫，更成為工研院第一個獲得DARPA實際支持的合作案例；未來將以工研院深厚的技術基礎結合UCLA創新概念，深化在電壓控制式磁性記憶體（Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM）技術的研發，攜手將低耗電與可靠度推進到新層次，進而協助臺灣半導體產業搶攻消費性電子、車用電子與AI人工智慧應用龐大商機​，站穩供應鏈關鍵位置，樹立國際半導體嶄新里程碑。

UCLA電氣工程特聘教授Kang Wang表示，工研院為國際級的應用研究機構，擁有獨特與強大的專業知識與技術能力，在MRAM技術上更有穩固的基礎與研發實力，如今
雙方能攜手合作，勢必能在基礎上往上堆疊，開創更前瞻先進的成果。UCLA電路和嵌入式系統教授和區域總監Sudhakar Pamarti則指出，工研院擁有開發元件、製作驗證的平台與開發經驗，透過實現UCLA製程開發的創新概念，將材料元件的開發往相關應用推進，期待2023年初之時，以世界頂尖的技術，翻轉下世代記憶體里程碑。