汎銓取得「導電膠」與「原子層導電膜」兩新專利工法 建構三大材料分析專利築高競爭門檻

半導體廠汎銓近期再取得「導電膠」與「原子層導電膜」兩個新的專利工法，加上先前已取得的「低溫原子層鍍膜」專利，汎銓科技所建構三大材料分析專利，築高半導體先進製程材料分析技術競爭力的高牆與護城河，坐穩半導體產業鏈研發領航者的地位。

汎銓表示，隨著半導體先進製程發展至電晶體尺寸已達到奈米等級，使得材料分析的技術難度、精準度的要求等皆日益增加，如何達到無損傷分析，已成了材料分析領域相關業者所需面對的共同課題，過去1奈米的損傷，並不影響製程判讀，但在即將進入2奈米製程研發的今日，些微量測差距都將導致分析的失準，可見材料分析技術的進入門檻也越來越高。汎銓科技多年來，一直致力於降低分析誤差，如何在分析過程中，保護目標，在取樣的過程中呈現樣品最真實的原貌，以保留其中微小的製程差異，這需要複雜的保護工法，汎銓科技已超前佈署研發出各項分析工法，並透過專利的取得，建構公司高度的競爭城牆。

汎銓進一步表示，公司所開發的「低溫原子層鍍膜」專利，對於敏感材料，包括EUV光阻、LK材料等，皆有很好的保護效果，有助提高分析的精準度，此低溫原子層鍍膜系統，能夠製備最嚴苛的TEM(穿透式電子顯微鏡；Transmission Electron microscopy)樣品，甚至在最脆弱的光阻或高分子樣品上得到運用的驗證。

再者，先進製程材料分析所仰賴的高解析度電子顯微鏡，常因電荷累積而產生誤差，汎銓科技也開發出兩個新的專利工法來應對，汎銓歷經多年利用「導電膠」與「原子層導電膜」克服了電子顯微鏡的問題，已成功有效的將電子顯微鏡中多餘的電荷導出試片，降低損傷，而對於新一代含金屬的EUV光阻或是其他能量敏感材料，也能發揮其強大的保護力，目前已應用在最先進的製程上，並成為分析先進製程的利器。

隨著後摩爾時代的來臨，晶片尺寸朝微縮化、效能增加、功率耗損減少，已大幅提升整體半導體生產製程良率之難度，從製造一個晶片來看，過去只需要幾百道製程，如今已演變到多達數千道之譜，可謂高難度也高複雜化，而每一道製程也都須依賴分析來檢驗其優劣，其中，更有數十道關鍵製程，必須倚賴大量的穿透式電子顯微鏡分析服務來檢驗數據上”埃米”尺度的極微小差異，提供正確且精準的分析結果，這也就是汎銓科技一直以來努力的目標。

製程快速的微縮，其所有魔鬼都藏在細節裡，如何見微知著，凸顯無損傷分析的價值，也讓汎銓成為客戶所倚重的研發夥伴。汎銓也將持續憑藉專業優秀的研發團隊，且與各大晶圓代工廠、IDM廠及上下游IC設計、封裝等產業主要客戶保持密切良好合作基礎，有效提供高準確度與即時性之半導體研發製程分析解決方案，並全力拓展兩岸事業佈局，以期挹注整體營運保持良好成長動能。